關(guān)于結(jié)構(gòu)陶瓷的介紹（多圖）

結(jié)構(gòu)陶瓷是具有耐高溫、耐沖刷、耐腐蝕、高硬度、高強(qiáng)度、低蠕變速率等優(yōu)異力學(xué)、熱學(xué)、化學(xué)性能，常用于各種結(jié)構(gòu)部件的先進(jìn)陶瓷。下面由科眾陶瓷廠為大家詳細(xì)介紹結(jié)構(gòu)陶瓷的內(nèi)容。
 

結(jié)構(gòu)陶瓷：氧化鋯陶瓷環(huán)

結(jié)構(gòu)陶瓷具有優(yōu)越的強(qiáng)度、硬度、絕緣性、熱傳導(dǎo)、耐高溫、耐氧化、耐腐蝕、耐磨耗、高溫強(qiáng)度等特色，因此，在非常嚴(yán)苛的環(huán)境或工程應(yīng)用條件下，所展現(xiàn)的高穩(wěn)定性與優(yōu)異的機(jī)械性能，在材料工業(yè)上已倍受矚目，其使用范圍亦日漸擴(kuò)大。而全球及國(guó)內(nèi)業(yè)界對(duì)于高精密度、高耐磨耗、高可靠度機(jī)械零組件或電子元件的要求日趨嚴(yán)格，因而陶瓷產(chǎn)品的需求相當(dāng)受重視，其市場(chǎng)成長(zhǎng)率也頗可觀。
 

結(jié)構(gòu)陶瓷：氧化鋯陶瓷棒
 

結(jié)構(gòu)部件的特種陶瓷由單一或復(fù)合的氧化物或非氧化物組成，如單由Al2O3、ZrO2、SiC、Si3N4，或相互復(fù)合，或與碳纖維結(jié)合而成。用于制造陶瓷發(fā)動(dòng)機(jī)和耐磨、耐高溫的特殊構(gòu)件，科眾陶瓷廠家主要的結(jié)構(gòu)陶瓷有氧化鋯陶瓷、氧化鋁陶瓷、碳化硅陶瓷、氮化鋁陶瓷、氮化硅陶瓷等。

結(jié)構(gòu)陶瓷的應(yīng)用：

結(jié)構(gòu)陶瓷主要是指發(fā)揮其機(jī)械、熱、化學(xué)等性能的一大類新型陶瓷材料，它可以在許多苛刻的工作環(huán)境下服役，因而成為許多新興科學(xué)技術(shù)得以實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵。

1.空間技術(shù)領(lǐng)域

在空間技術(shù)領(lǐng)域，制造宇宙飛船需要能承受高溫和溫度急變、強(qiáng)度高、重量輕且長(zhǎng)壽的結(jié)構(gòu)材料和防護(hù)材料，在這方面，結(jié)構(gòu)陶瓷占有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。從第一艘宇宙飛船即開始使用高溫與低溫的隔熱瓦，碳-石英復(fù)合燒蝕材料已成功地應(yīng)用于發(fā)射和回收人造地球衛(wèi)星。未來空間技術(shù)的發(fā)展將更加依賴于新型結(jié)構(gòu)材料的應(yīng)用，在這方面結(jié)構(gòu)陶瓷尤其是陶瓷基復(fù)合材料和碳/碳復(fù)合材料遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于其他材料。

高新技術(shù)的應(yīng)用是現(xiàn)代戰(zhàn)爭(zhēng)制勝的法寶。在軍事工業(yè)的發(fā)展方面，高性能結(jié)構(gòu)陶瓷占有舉足輕重的作用。例如先進(jìn)的亞音速飛機(jī)，其成敗就取決于具有高韌性和高可靠性的結(jié)構(gòu)陶瓷和纖維補(bǔ)強(qiáng)的陶瓷基復(fù)合材料的應(yīng)用。

2.光通信產(chǎn)業(yè)

光通信產(chǎn)業(yè)是當(dāng)前世界上發(fā)展最為迅速的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)之一，全世界產(chǎn)值已超過30億美元。其所以發(fā)展如此迅速主要依賴于光纖損耗機(jī)理的研究以及光纖接頭結(jié)構(gòu)材料的使用。我所已成功地運(yùn)用氧化鋯增韌陶瓷材料開發(fā)出光纖接頭和套管，性能優(yōu)良，很好地滿足了我國(guó)光通信產(chǎn)業(yè)的發(fā)展需要。

隨著半導(dǎo)體器件的高密度化和大功率化，集成電路制造業(yè)的發(fā)展迫切需要研制一種絕緣性好導(dǎo)熱快的新型基片材料。80年代中后期問世的高導(dǎo)熱性氮化鋁和碳化硅基板材料正逐步取代傳統(tǒng)的氧化鋁基板，在這一領(lǐng)域，我所研制成功的高熱導(dǎo)氮化鋁陶瓷http://m.skyjt.com/dhltccp/熱導(dǎo)率達(dá)到228 W/m×K，性能居國(guó)內(nèi)外前列。氮化鋁-玻璃復(fù)合材料，已成為當(dāng)代電子封裝材料領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)，其熱導(dǎo)率是氧化鋁-玻璃的5-10倍，燒結(jié)溫度在1000°C以內(nèi)，可與銀、銅等布線材料共燒，從而制造出具有良好導(dǎo)熱和電性能多層配線板，我所研制的氮化鋁-玻璃復(fù)合材料，熱導(dǎo)率達(dá)到10.8 W/m×K的，在國(guó)際上居于領(lǐng)先地位，很好地滿足了大規(guī)模集成電路小型化、密集化的要求。